电子学笔记
本文为《The Art of Electronics》的读书笔记
FET
- 分类
- 栅、基隔离:
- JFET:栅为“二极管”
- MOSFET:栅隔离
- 栅偏置:
- 增强型:栅偏置时导通
- 耗尽型:在栅未偏置时便导通
- 沟道类型:
- N:\(V_{ds}\) 为正、\(V_{gs}\) 越正越导通
- P:\(V_{ds}\) 为负、\(V_{gs}\) 越负越导通
- 栅、基隔离:
- 由于 JFET 栅为“二极管”,其只能存在耗尽型
- 可以认为,不论哪种 FET,\(V_{g}\) 越向与 \(V_{d}\) 符号相同的方向变化,越导通