电子学笔记 发表于 2025-11-17 更新于 2026-05-12 分类于 笔记 , 电子学 本文为《The Art of Electronics》的读书笔记 FET 分类 栅、基隔离: JFET:栅为“二极管” MOSFET:栅隔离 栅偏置: 增强型:栅偏置时导通 耗尽型:在栅未偏置时便导通 沟道类型: N:VdsV_{ds}Vds 为正、VgsV_{gs}Vgs 越正越导通 P:VdsV_{ds}Vds 为负、VgsV_{gs}Vgs 越负越导通 由于 JFET 栅为“二极管”,其只能存在耗尽型 可以认为,不论哪种 FET,VgV_{g}Vg 越向与 VdV_{d}Vd 符号相同的方向变化,越导通