数学部分
- 以下内容默认在右手直角坐标系中
- 单位向量为 (ex, ey, ez)
- 以下形如 f 为 R3↦R 的函数,记录直角坐标系空间一点的值,代表标量场
- 以下形如 n 或 A 为 R3↦R3 的函数,代表一个向量场
向量运算
- 标量积、点乘,强调结果为标量
- 向量积、叉乘,强调结果为向量,此向量法向于两运算数向量所成平面
多元微分运算
梯度
- ∇f(M)
- grad f(M)
给出空间一点 M 的导数,R↦R3,方向从“低”到“高”
散度
- ∇⋅A(M)
- div A(M)
给出空间一点 M 周边向量发散的程度,R3↦R,“发出”为正,“吸入”为负
旋度
- ∇×A(M)
- rot A(M)
- curl A(M)
给出空间一点 M 周边向量绕其旋转的程度,R3↦R3,右手螺旋确定方向
拉普拉斯算子
- △f(M)
- ∇2f(M)
- ∇⋅∇f(M)
- div(grad f(M))
- △A(M)
给出空间一点与周边值的平均值的差异
物体形状
- ∂V 代表体积 V 的表面 S,此面一定闭合
- ∂S 代表面积 S 的外边 Γ,此边一定闭合
公式
- 高斯散度定理:∂V∬J⋅ndS≈V∭divJdV
- 斯托克斯定理:∂S∮E⋅ldΓ≈S∬rotE⋅ndS
以上:
- J、E 是两个向量场
- 其中 n 为是体积 V 的表面 S=∂V 上的外向的单位法向量
- 其中 l 为是表面 S 外边 Γ=∂S 上的单位线向量
- ∬、∮ 强调闭合
真空中的电磁学
真空中的麦克斯韦方程组
div E=ε0ρ
div B=0
rot E=−∂t∂B
rot B=μ0(J+ε0∂t∂E)
- E 为电场强度(单位 V/m)
- B 为磁通量密度(单位 T)
- ρ 为电荷密度(C/m3)
- J 为电流密度(A/m2),表示单位截面的电流;同时 J=ρv,其中 v 为电荷的速度
- ε0 为真空电容率,又称电常数(F/m)
- μ0 为真空磁导率,又称磁常数(T⋅m/A)
这四个方程分别揭示:
- 电荷累计形成电场
- 磁场线永远闭合
- 变磁场生电
- 电流或变电场会生磁
磁势
对于(一定)满足无散场条件 divB=0 的 B 磁场,有:
rot A=B
A 被定义为磁势,是一个类似电势的概念
另由 亥姆霍兹分解 可由磁场求得磁势:
A(r)=4π1∫VB(r′)×∣r−r′∣3r−r′dV
- r 为坐标原点到被测点的向量
- r′ 为坐标原点到磁场 B 中一点的向量
- V 为磁场的体积,可换元至 r′
来源
或者可以构造磁场势:
e.g. 一个匀强磁场的磁势
B=⎣⎢⎡BxByBz⎦⎥⎤⟹A=21⎣⎢⎡0−z+y+z0−x−yx0⎦⎥⎤B
注意这个 A 不一定正确
来源
洛伦兹力
在磁场中运动的电荷所受到的力
F=J×B
可由右手拇指、食指、中指指向电、磁、力的方向确定
洛伦兹力往往会使有单向电流的闭合回路尝试扩大
坡印廷定理
略
介质中的电磁学
介质中不再像真空中有着可以自由移动的电荷
介质的性质
电荷现在受到了原子核的影响,我们转而研究原子中的 自由电荷 和 束缚电荷
ρ=ρfree+ρbound
J=Jfree+Jbound
自由电荷可以轻易离开原子核的束缚参与电流的形成;束缚电荷则不会轻易离开,但它们的位置与运动仍会影响介质的电磁性质
电极化
介质中的束缚电荷发生位移,这种现象称为极化
P = ε0χeE
ρbound=−div P
P 为电极化强度,其中 χe 为电极化率
电位移
D = ε0E+P=ε0εrE
因为介质被极化,为了更好地描述其内的电场情况,我们引入电位移 D
其中 εr 为这种介质的相对电容率
磁极化 与 磁场强度
M = χmH
B = μ0(H+M)=μ0μrH
Jbound=rot M+∂t∂P
由于介质内的电荷运动产生了电流,我们因此引入磁场强度 H 来描述因此电流产生的磁场
M 即磁化强度,即此介质对于 H 的响应而额外产生的磁场,其中 χm 为磁极化率,
而 B 则是包含了 H、M 二者,其中 μr 为这种介质的相对磁导率
现实情况
当然,以上的D场对E场、B场对H场并不总是线性的:εr是关于E的函数,而μr是关于H的函数;
B场与H场之间甚至因此存在 迟滞现象 ……
介质中的麦克斯韦方程组
div D=ρfree
div B=0
rot E=−∂t∂B
rot H=Jfree+∂t∂D
两介质间边界上的麦克斯韦方程组
在两种介质的边界上,由于微分失效,我们选取边界上的极小体积(以圆柱为例),对麦克斯韦方程组两侧积分处理:
(D2−D1)⋅n=SQ=σsurface
(B2−B1)⋅n=0
(E2−E1)×n=0
(H2−H1)×n=0
下标的1、2代表两不同介质;
S 为选取圆柱的截面积,
n 为截面的法向量;
Q 为 ρ 的积分,即电荷量(单位 C)
电气工程中的电磁学
电气工程中多低频,也没有大量运动的电荷:
- 导体内:ρ=0,D=0
- 介质内:J=0
电磁学中的导体
导体内主要是自由电荷,有:
rot H=J⟹div J=0
rot E=0⟹E=−grad V
J=σE
V 即为电势(标量),σ 是导体的电导率
电流
电流是单位时间通过导体截面的电荷量
I=tQ
另有:
I=S∬J⋅ndS
- n 是表面 S 的外向法向量
电压
电压是导体内定向流动的电场
U=Γ∮E⋅ dΓ
真空中的静磁学
在磁场处于稳态的真空系统内有:
rot H0=J
div B0=0
B0=μ0H0
毕奥-萨伐尔定律
描述真空内电流如何产生磁场:
B(r)=4πμ0V∭J(r′)×∣r−r′∣3r−r′ dV
B 的方向满足 右手螺旋定则
A(r)=4πμ0V∭∣r−r′∣J(r′) dV
A 与电流密度作用的总和同向
- r 为坐标原点到被测点的向量
- r′ 为坐标原点到电流密度 J(r′) 所在点的向量
- V 为流过电流的体积,可换元至 r′
来源
根据电流与电流密度的关系,我们也可以将以上公式以电流表示
常见案例
来源
-
无限长、细直电流旁,距离 r 的地方:
B(r)=2πμ0Ir1
B 的方向由 右手螺旋定则 确定
可以构造:
A(r)=−2πμ0Ilnr
A 与电流 I 平行,注意这个 A 不一定正确
-
无限长、半径为 R 的圆柱体电流旁,距离其轴线 r 的地方:
-
在电流外,r>R:
由 安培环路定律 可知,此情况下圆柱体电流等效于无限长细直电流
-
在电流内,r<R:
B(r)=2πR2μ0Ir
B 的方向由 右手螺旋定则 确定
可以构造
A(r)=−4πR2μ0Ir2
A 与电流 I 平行,注意这个 A 不一定正确
静磁学
在磁场处于稳态的系统内、且存在介质时,有:
rot H=J
div B=0
B=μ0μrH
H=H0+Hcor
由向量势的计算方法,更有:
rot Hcor=0⟹Hcor=−grad ϕ
div B=0⟹div(−μ grad ϕ)=div(−μH0)
Hcor 为介质矫顽力(介质更不容易退磁的特性)产生的;ϕ 为矫顽磁场的矫顽磁势
与电流、电压等电学概念做对比
电 |
磁 |
Current |
Flux |
J |
B |
I=S∬J⋅ndS |
Φ=S∬B⋅ndS |
U=Γ∮E⋅ldΓ |
F=Γ∮H⋅l dΓ |
Φ 为磁通量(磁感线的数量);F 为磁动势
既然有电路图,就有磁路图,基尔霍夫的各项定律也基本适用
我们也常会谈到 磁链,电磁学中通常将其看作磁通量的组合:(Ψ=NΦ)
静电学
静电学研究电荷静止时的状态,有:
rot E=0
div D=0
D=εE
更有:
rot E=0⟹E=−grad V
div D=0⟹div (−εgradV)=ε△V=0
ε 为该介质的电容率
暂态磁场时的情况
因磁场处于暂态,有:
rot E=−∂t∂B
因:
B=rot A
故有:
E=−grad V−∂t∂A
−grad V 来自静电场的,−∂t∂A 来自动磁场
傅科电流
rotE=−∂t∂B 中的 E 绕 B 旋转。在导体中产生的涡电流往往使导体发热严重,故通常将导体片成分层结构
集肤效应
变电流产生的变磁场也会产生傅科电流,其反过来作用到电流上,使电流贴近导体的外部,故常使用空心导体
“肤厚”:
δ=πfμσ1
宏观表现
回路内变磁场在线圈两端产生的电压 E=−∂t∂Φ,其方向符合楞次定律(尝试反抗磁场变化)
其他
- 压电效应
- 磁热效应(magnetocaloric)
- 磁致伸缩效应